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2018年各廠商開啟新計劃

2018-02-27 14:16:53

從技術層面來說,三星今年的目標除了持續提升18nm制程的產出比重外,近兩年來DRAM漲價帶動DRAM供貨商的利潤高漲,同時也由于中國大陸潛在競爭者的加入,迫使三星決定展開新一波的擴產計劃,將原本計劃做NAND Flash的平澤廠二樓區域投入生產DRAM,一方面因為DRAM供給吃緊,另一方面由此減少未來NAND Flash的投片量,用以抑制NAND Flash的跌價速度,對此,DRAMeXchange表示,這樣做對整體內存產業來說是積極向上的發展而并不是壞事。
 
此外,SK海力士去年底開始導入18nm的生產,然而,進入1Xnm世代制程難度高、轉換不易,SK海力士目前仍致力于提升其18nm良率;擴廠計劃則維持不變,SK海力士最快要到2019年才會在大陸無錫新建的第二座12英寸廠看到產能開出。美光在技術布局方面,臺灣美光內存(原瑞晶) 17nm目前產出比重已超過9成,預計今年第二季初將完成轉換,而臺灣美光晶圓科技(原華亞科)計劃今年中開始進行20 nm往17nm的轉換,預計今年年底將有望有一半產能轉往17nm生產,并于明年上半年全數導入。
 
臺系廠商部分,南亞科第四季營收較前一季大幅成長26.9%,主要歸功于20nm轉換良率超乎預期,以及價格持續走揚帶動。20nm的成本效益拉升營業利益率至38.9%,較前一季成長7個百分點。展望未來,由于該公司20nm良率繼續提升,將會持續改善其成本結構,增加獲利空間。
 
力晶科技方面,2017年第四季DRAM營收季持平,主要還是替晶豪科、愛普等IC設計業者代工的獲利較佳,力晶本身DRAM產能轉向更高毛利的產品;華邦電方面DRAM營收則下滑2.2%,主要因為DRAM產能受到NOR Flash產能壓縮所導致。



本文關鍵詞:NAND Flash  

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