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存儲器國產化有三大難關

2018-04-02 14:32:46

中國已有三家存儲企業正式向存儲器芯片制造發起挑戰,分別是武漢長江存儲的32層3DNAND閃存、福建晉華的32納米DRAM利基型產品,以及合肥長鑫(睿力)的19納米DRAM。三家企業都宣布在2018年年底前將實現試產,開通生產線。如果再算上紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地,總共有5處。對于中國上馬存儲器制造,可能會面臨三個主要難題:技術、成本與價格、專利。
  
從態勢分析,關于首個難關,突破技術難點,成功試產,對于中國存儲器廠商可能都不是問題,顯然2018年相比2017年的投資壓力會增大。
  
預計最困難的是第二個難關,產能爬坡,進入比拼產品成本與價格的階段。這兩者關聯在一起、相得益彰,當成本增大時,產能爬坡的速率一定會變慢,很難立刻擴充至5萬到10萬片。因為與對手相比,在通線時我們的產能只有5000至1萬片,對手已超過10萬片,且其成品率近90%,而我們的成品率只有70%~80%。由此可看出成本差異非常明顯,因此,這就要看我們的企業從資金方面能夠忍受多長時間的虧損。因此中國存儲器業最艱難的時刻應該在2019年或者之后。
  
第三個難關是專利糾紛,中國做DRAM怎么能不踩專利的“紅線”,并且無法預測到對手會如何出招,這是中國半導體業發展過程中必須付出的代價。所以各大廠商從現在開始就要準備專利方面的律師及材料,迎接戰斗。中國半導體業一定要重視知識產權保護,這是邁向全球化的必經之路。
  
國產存儲器想要實現真正逆襲,還是面臨許多各種各樣的挑戰,一個是技術差距,另一個是制作水平的薄弱。2018將成為中國存儲器發展的關鍵年,希望在強有力的政策支持下,加上國內廠商的不懈努力,中國存儲器能在不久的將來真正引領世界。


本文關鍵詞:DRAM

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