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發改委約談三星 抑制DRAM再度漲價

2018-02-06 14:30:33

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,因為內存價格持續出現超過6個季度的上漲,導致多家中國智能手機品牌廠不堪成本壓力,因此在去年年底,國家發改委約談三星半導體,因此第一季行動式內存的漲幅有所放緩。據了解,韓國政府近日將攜三星電子與國家發改委簽署備忘錄,內容將包括在半導體領域的相關合作,其中包含擴大在中國投資以及技術合作的可能性。
 
近年來,中國成為內存產品的最大出海口,不管是國內需求或是外銷,透過中國所購買的內存比重持續增加,對于中國市場情緒的變化,三星必須給予尊重及反應。因此,DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出,此次事件將可能對未來內存產業產生以下兩種影響:
 
一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態,但未來漲幅將受抑制
 
從DRAM領域來看,現在供貨商在生產行動式內存的獲利遠低于其他類別產品,而受到第一季智能手機市場低迷需求的影響,再加上國家發改委的干預,預期未來價格漲幅將會更加受到控制。預計未來,供貨商預期會持續將現有的產能從行動式內存轉向更高毛利產品,造成其他類別產品的價格漲幅也進一步收斂。
 
二、供貨商為避免價格漲幅過高,新增產能的可能性增加
 
其次,在NAND Flash領域,2018年由于3D NAND Flash的比重持續提高,因此供貨吃緊的狀態較去年大幅改善。然而,觀察DRAM供給,因為現在并未有新增產能貢獻位元產出,所有2018年仍會處于供不應求狀態。DRAMeXchange分析,為解決中國方面對于內存價格持續上漲所表達的強烈不滿,對供貨商而言,在漲價受到抑制、成本下降不易的考慮下,新增產能的可能性與時程皆可能轉趨積極,透過增加產能來貢獻位元產出不僅可以維持價格穩定,也希望藉此維持該企業在DRAM產品的獲利水平。


本文關鍵詞:DRAM     NAND Flash

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