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具有殺傷力的嵌入式記憶體技術

2018-01-31 16:01:51

獨立式(standalong)的次世代記憶體已可大幅提升系統的效能,但采用直接在SoC芯片中嵌入的設計,則可將效能再往上提升一個等級。因此,嵌入式記憶體技術所帶來最直觀的變化就是效能與體積。
 
因為嵌入式記憶體制程是在晶圓層級中,由晶圓代工廠把邏輯IC與記憶體芯片整合在同一顆芯片中。這樣的設計不但能夠達成最佳的傳輸性能,同時也縮小了芯片的體積,通過一個芯片就達成了運算與儲存的功能,而這對于物聯網裝置經常需要數據運算與資料儲存來說,非常有吸引力。
 
比如說臺積電他們的主要市場便是鎖定物聯網、高性能運算與汽車電子等。
 
不過,目前主流的快閃記憶體因為采用電荷儲存為其資料寫入的基礎,因此其耐用度與可靠度在20nm以下,就會出現大幅的衰退,因此就不適合用在先進制程的SoC設計裡。雖然可以透過軟體糾錯和演算法校正,但這些技術在嵌入式系統架構中轉換并不容易。所以結構更適合微縮的次世代記憶體就成為先進SoC設計的主流。
 
另一方面,次世代記憶體也具有超高耐用度的,所以無論是對環境溫度的容忍范圍或者存取的次數,都能遠遠超過目前的解決方案,因此這些新的嵌入式記憶體技術就更運用在特定的市場。
 
以RRAM為例,歐洲研究機構愛美科(Imec)幾年前就已經發表了10nm制程的技術,突破了目前NAND Flash的極限。近期MRAM技術也宣布其制程可以達到10nm,甚至以下。
 
不過次世代嵌入式記憶體SoC芯片的制程非常困難,不僅整合難度高,芯片的良率也是一個挑戰,目前包含臺積電、聯電、三星、格羅方德(Globalfoundries)與英特爾等,都投入大量的人力在相關生產技術研發上。
 
而以發展的時程來看,次 世代嵌入式記憶體技術將會先運用在特定用途的SoC和MCU上,而隨著制程成熟與價格下降后,將會有更多的應用與市場。
 
本文關鍵詞:晶圓     MCU

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