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我國團隊研究出新型態光敏感性半導體存儲器

2018-01-03 15:07:14

近日有研究團隊根據原子級薄度的半導體研發設計出一種存儲器,不僅具有良好的性能,而且能夠在完全不需要電力輔佐的情況下,用光線就能清除保存的資料,團隊認為這種新型的存儲器在系統整合型面板(System on Panel)上,擁有非常大的應用潛力。
 
據報導,復旦大學和中國科學院微電子研究所的Long-Fei He和相關研究人員最近在新的應用物理學快報(AIP)期刊上發表了一個關于新型態存儲器的論文。
 
因為大多數現有的存儲器技術都太過笨重,無法整合應用在顯示面板上,研究人員一直都在研究全新的設計和材料,嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。
 
在這項新的研究中,研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”(MoS2)的應用,研發出一種原子級薄度的半導體,它的電導率(conductivity)可以被精細的調整,進而形成具有高開關電流比的存儲器基礎元件。
 
除此之外,團隊也在反復測試中證明,這類型存儲器具有運行速度快、大容量的存儲器空間和卓越的存儲性,研究人員估計,即使處在85°C(185°F)的高溫下10年,儲存空間仍可以保存原有的60%左右,對于實際應用來說完全足夠。
 
過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性(photoresponsive),這意味著一些性質可以通過運用光來控制,為了了解實際應用情況,團隊也實際進行了相關實驗,結果發現,當光線照射到已編程的存儲設備上時,儲存資料被完全消除,但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。
 
負責人表示,團隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間,來大規模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設備,將會在系統整合型面板的應用上扮演重要角色。 


本文關鍵詞:半導體存儲器

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