我國團隊研究出新型態光敏感性半導體存儲器
2018-01-03 15:07:14
近日有研究團隊根據原子級薄度的半導體研發設計出一種存儲器，不僅具有良好的性能，而且能夠在完全不需要電力輔佐的情況下，用光線就能清除保存的資料，團隊認為這種新型的存儲器在系統整合型面板（System on Panel）上，擁有非常大的應用潛力。
據報導，復旦大學和中國科學院微電子研究所的Long-Fei He和相關研究人員最近在新的應用物理學快報（AIP）期刊上發表了一個關于新型態存儲器的論文。
因為大多數現有的存儲器技術都太過笨重，無法整合應用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設計和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。
在這項新的研究中，研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應用，研發出一種原子級薄度的半導體，它的電導率（conductivity）可以被精細的調整，進而形成具有高開關電流比的存儲器基礎元件。
除此之外，團隊也在反復測試中證明，這類型存儲器具有運行速度快、大容量的存儲器空間和卓越的存儲性，研究人員估計，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲存空間仍可以保存原有的60%左右，對于實際應用來說完全足夠。
過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質可以通過運用光來控制，為了了解實際應用情況，團隊也實際進行了相關實驗，結果發現，當光線照射到已編程的存儲設備上時，儲存資料被完全消除，但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。
負責人表示，團隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間，來大規模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設備，將會在系統整合型面板的應用上扮演重要角色。
本文關鍵詞：
半導體存儲器
相關文章：
2018芯片缺貨潮不停
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：
VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、ipus、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. m.v12106.cn 0755-66658299
