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美光建設新廠 研發全新技術

2017-10-25 14:32:05

此前,由于美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區發生氮氣泄露事件,導致5000至1萬片的晶圓直接報廢,4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。美光迅速解決并恢復正常生產運作,對之后的產能并沒有產生太大的影響。
  
8月14日,美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設成功。據了解,這個工廠主要用于研發全新內存以及存儲技術,美光技術開發執行副總裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技術研發中心已經轉入其日本廣島的制造工廠,未來將加速研發3D NAND以及DRAM全新技術。
  
由于目前DRAM市場正處于漲潮階段,美光預計2017年會計年度第四季營收同比增長91%,高達61.38億美元,且對于2017年底營收的展望遠超市場預期,預估為63億美元左右。美光執行長SanjayMehrotra表示,美光1X納米DRAM和64層3D NAND的良率將于今年年底達到穩定階段,從產業目前情況來看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都將供不應求。


本文關鍵詞:DRAM

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