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ReRAM性能介紹二

2017-10-17 14:53:15

密度

Crossbar擁有專利的轉換器設備解決了高密度ReRAM開發(fā)人員面臨的最大技術挑戰(zhàn)之一,它被稱為潛泄電流(或漏電流)。Crossbar的3D ReRAM存儲解決方案是基于1TnR陣列(1個晶體管驅動n個電阻式內存單元),其選擇率使得讓一個晶體管管理很大數(shù)量的內聯(lián)的內存單元成為可能,從而實現(xiàn)很大容量的固態(tài)存儲。在1TnR模式下,1個晶體管能夠以非常低的功耗驅動超過2000個內存單元,但也會遇到潛泄電流的漏電問題,對典型ReRAM陣列的性能和可靠性產生干擾。Crossbar擁有專利的電場輔助超線性閾值轉換器設備解決了這一漏電問題,它采用了一個超線性閾值層,里面有一個在閾值電壓值上形成的易變性傳導通路。這樣的電場輔助超線性閾值設備是業(yè)內第一個能夠將泄露電流抑制在0.1納安之下的轉換器,并已在一個4 Mbit整合3D堆疊式被動Crossbar陣列中成功實現(xiàn)。
 
Crossbar的轉換器在2014年年底的IEDM上進行了展示,它實現(xiàn)了有報告以來最高的選擇率(10的10次方),低于5mV/dec的極銳斜率,超過100M周期的耐久性,以及低于300攝氏度的處理溫度,解決了潛泄通路問題,從而解決了潛泄通道問題,體現(xiàn)了商用可行性。Crossbar的轉換器是第一個解決了這一設計挑戰(zhàn)的解決方案,為在單芯片上實現(xiàn)TB字節(jié)級別的存儲成為現(xiàn)實鋪平了道路,從而使得ReRAM成為領先的下一代NAND內存替代品。
 
能耗
 
CrossbarReRAM技術將簡化掉多個數(shù)據(jù)存儲部件和SSD或者其他類似數(shù)據(jù)存儲解決方案中的控制器之間的數(shù)據(jù)讀寫管理。減少后臺內存操作的數(shù)量有助于提高數(shù)據(jù)存儲設備的性能和耐久性,但也降低了SSD控制器的功耗和對DRAM的使用,以及數(shù)據(jù)存儲部件在進行讀寫時的功耗。
 
在內存單元層面,CrossbarReRAM提升了編程性能和功耗效率。它實現(xiàn)了64pJ/cell的編程功耗,與NAND閃存相比這是20倍的提升。


本文關鍵詞:ReRAM

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