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存儲器價格為什么居高不下?

2017-09-27 14:45:16

市場分析師表示,動態隨機存取存儲器(DRAM)和NAND的價格今年一直居高不下,而且未來的價格預估計還會更進一步上漲。許多人以為目前的存儲器市場情況只是暫時的供需不平衡。或者,他們以為當3D NAND快閃存儲器(flash)的制造技術逐漸成熟后,就能解決目前的存儲器市場價格高漲的情況。但是,以DRAM的市況而言,沒人能知道DRAM供應何時會改善。
  
從需求面來看,雖然一些細分市場正在成長,但并未出現殺手級的應用或是特別繁榮的細分市場。因此,問題應該就出在供應面。
  
美光(Micron)表示,2017年DRAM供給位元預計成長15-20%,可說是近20年來最低的位元成長率(bit growth)。如此低的位元成長率,主要是因為DRAM微縮限制。市場上有很長一段時間都沒有任何有關DRAM微縮的消息了。當供給位元成長低于45%時,這時就是賣方的市場了。因此,DRAM的寡頭壟斷、低位元成長率,以及制造擴張遲緩,導致長期的供應吃緊。最終的局面可能就是DRAM的價格不斷上漲,而供應面卻不會有任何改變。
  
                                              

                                             
                                             


NAND市場競爭非常激烈。基于3D NAND將大幅提高生產力的市場預期,所有的NAND廠商都投入了數十億美元于3D NAND制造。因此,供應過剩估計會持續一段時間。但是,這種期待只是一種假象。3D NAND的制造比大家想像的要困難得多。目前,幾家NAND供應商都得努力地推出3D NAND。

許多分析師預計,大約在2018年底,當64層和96層3D NAND快閃存儲器的制造趨于成熟時,市場供應緊張的情況將會得到緩解。所以,明年將會有足夠的NAND供應嗎?如圖所示,平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次冪方式呈指數級增加位元單元。相對地,3D NAND的單元層數(即垂直微縮)則線性增加位元單元。目前,根據摩爾定律,平面NAND符合位元單元的指數級需求成長。然而,平面NAND面對微縮限制,3D NAND僅以線性位元成長率,將難以達到市場的需求。
  
綜上所述的,存儲器價格較高不再只是因為供需失衡。從現在開始,我們幾乎不會看到存儲器價格降下來,因為存儲器價格如此居高不下,主要是因為存儲器元件的微縮限制。


本文關鍵詞:DRAM  存儲器

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