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MRAM耐擦寫周期試驗

2017-09-15 14:28:36

MRAM MR2A16A位耐擦寫周期研究的目的是確定MRAM位元是否具有耐擦寫限制。該研究試驗還包括通過存儲器的重復使用是否對軟誤差率(SER)具有負面影響。寫周期試驗是在高溫系統中進行的,許多單元可以同時運行。功能測試和軟誤差率數據的收集在ATE上完成。

該設備在4MHz(250ns)和90℃條件下運行。MR2A16A的最高頻率是28.5MHz(35ns)。商用產品的最高環境溫度要求是70℃。經計算,如果將4MHz上運行的器件的工作頻率增加到28.5MHz,MR2A16A結溫將升高20℃。因此,盡管最高溫度要求是70℃,而實際上卻在90℃溫度下進行該項研究。

寫周期、功能測試和SER數據收集都是在最壞額定電壓和溫度工作條件下進行的。此時,研究結果顯示,試驗單元經過58萬億次擦寫周期而沒有出現任何故障。目前研究還在繼續進行,目的是為了驗證所獲取的MR2A16A 1T1MTJ位單元寫周期數據的普遍性。


本文關鍵詞:MRAM

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