各種同步型SRAM比較 （一）
2017-08-21 14:58:08
標準同步型SRAM： 這是被“主流應(yīng)用”所接納的第一種同步型SRAM。這些器件雖然主要面向PC L2高速緩沖存儲器應(yīng)用，但也滲透到了非PC應(yīng)用領(lǐng)域中，比如電信、網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字信號處理（DSP）以及醫(yī)療和測試設(shè)備。其中，標準同步型SRAM具有兩種基本格式：流水線型和直通型。兩者之間的差異是：直通型SRAM僅在輸入端上具有寄存器，當?shù)刂泛涂刂戚斎氡徊东@且一個讀存取操作被啟動時，數(shù)據(jù)將被允許“直接流”至輸出端。當用戶對初始延遲的重要性考慮超過對持續(xù)帶寬的考究時，人們往往優(yōu)先采用直通型架構(gòu)。“流水線型”同步SRAM同時擁有一個輸入寄存器和一個輸出寄存器。流水線型SRAM所提供的工作頻率和帶寬通常高于直通型SRAM。因此，在需求較高寬帶，而對初始延遲不是很敏感時，人們常常優(yōu)先采用流水線型SRAM。
NoBLTM（無總線延遲）型SRAM：有些應(yīng)用不允許“等待狀態(tài)”。比如網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中“等待狀態(tài)”有可能對性能產(chǎn)生嚴重的影響。為解決該問題，賽普拉斯公司推出了無總線延遲（NoBL）型SRAM。NoBL型SRAM與標準同步型SRAM很相似，但是擁有附加的片上邏輯電路，旨在完全消除標準同步型SRAM系列所需的“等待狀態(tài)”。通過消除這些“等待狀態(tài)”，此類SRAM能夠?qū)崿F(xiàn)100[%]的總線利用率（絲毫不受讀/寫模式的影響）。該功能極大地改善了存儲器性能，尤其是當存在頻繁的讀/寫操作變換時。 NoBL型SRAM也存在兩種版本：直通型和流水線型。直通型NoBL SRAM始終具有一個單周期偏移，而NoBL流水線型SRAM則保持了一個雙周期偏移。
本文關(guān)鍵詞：NoBLTM（無總線延遲）型
SRAM 標準同步型SRAM
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