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STM32外擴SRAM芯片IS62wv51216兼容替換

2020-07-29 11:52:56

         STM32外擴SRAM芯片IS62wv51216兼容替換
STM32MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲器和256KB SRAM,在某些應用設計中會出現內置RAM不足的情況,需要對STM32單片機進行外擴RAM的處理,可以選擇更換更高RAM容量的單片機,除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改,STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216,

IS62WV51216 SRAM芯片是一個8M容量,組織結構為512K*16的高速率低功耗靜態隨機存儲器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創新的電路設計技術,造就了這款高性能,低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳,可以簡單實現存儲器擴展。

我司推出一款IS62WV51216的兼容替換物料VTI508NL16,VTI508NL16 SRAM芯片的容量達到了512K×16bit,即為8Mb,相當大的容量,可作為強大微處理器的主緩存使用,可以PIN TO PIN兼容替換IS62WV51216,VTI508NL16產品使用CMOS高性能技術制造, 通常僅以375mW的功率工作。低功耗提供了電池備份數據保留功能,器件采44TSOP2引腳封裝, VTI508NL16 SRAM芯片的供電電壓VCC的范圍為2.7~3.6V,屬于普通主板都能提供的弱電輸入電壓。

當然,其作為SRAM最大的特點就是在主機斷電后,仍能通過由電池供電,繼續保存已經存儲在芯片中的數據,并且其數據保存所需的電壓VDR降低到1.5V最低,而所需的電流IDR更是低至4μA最大值,SRAM芯片相比DRAM的優點在于不需要刷新電路就能保存內部存儲的數據,而且更為快速、低功耗。讀寫延時在45/55ns左右,可謂是響應極其迅速的一款產品,適合用在需高速數據傳輸的設備當中。
 

規格書下載:IS62wv51216兼容替換型號

更多詳情點擊該鏈接:低功耗SRAM芯片選型


本文關鍵詞:  ram IS62wv51216


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