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SRAM芯片測試

2020-03-02 09:32:54

完成SRAM芯片的測試,需要設計測試電路板。測試電路板主要提供測試接口和電源。芯片的控制信號和數據信號由紅色颶風II-Xilinx FPGA 開發板提供,使用ISE13.2 軟件建立測試工程,編寫Verilog 測試程序(主要包括按照時序提供分頻后的測試時鐘、數據信號和控制信號),通過JTAG 下載到FPGA 的PROM 中,重新上電進行測試,通過RIGOL DS1102CA 雙通道示波器捕捉信號。
 
將示波器的通道1連接到寫使能信號,通道2連接到數據端D7。如圖1 所示,上方的波形為通道1接收的數據,下而的波形為通道2接收的數據。設計輸入向量測試,當地址為OOO時,將片選端CS置為低電平,圖1 中,A區WT=*0”,RD=“1“,RD= “0”,讀出寫入數據 為“0”; B區WT=“1”,數據為“0”; C 區WT=“0”,RD=“1”,寫入數據為“1”D 區WT-“1”,RD-“1”,為了更好地觀察讀出“1”時端口的電平變化,該段不進行讀寫,在輸出端口上加弱的低電平信號; E區WT=“1”,RD=“0”,讀出數據為“1”,可明顯地看到讀出數據“1”的過程。從圖中可以看到數據“0”和“1”被成功地寫入和讀出。

 
為驗證實際的芯片是否可以達到設計指標,參考仿真方法,輸入測試向量,以D7為例,寫入10100011后讀出SRAM 中的數據,波形如圖2 所示。遍歷OOO到111所有地址,寫入并讀出數據,驗證每個數據端是否能夠正常工作,結果顯示每個數據端口功能正確。

 
存取時間也是SRAM的一個重要參數,它可以表示存儲器的工作速度。測量得到,存取時間=299.4ns-293.2測量存取時間時,不同的數據端口會有ns=6.2ns。較小差別,這與實際芯片制造和不可避免的測量誤差均有關。
 
測試可知:當電源電壓為3.3MHZ。工作時,測得電作正常,工作頻率可達20源上的最大電流約為1.8545由此可得功耗絲mA,為6.11985mW。


本文關鍵詞:SRAM芯片 

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