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STT-MRAM取代DRAM

2020-02-14 13:23:06

先進的SSD架構:STT-MRAM取代DRAM
隨著STT-MRAM密度的增加,STT-MRAM有機會完全取代SSD架構中的DRAM(圖1),從而提供更多高級功能,而只有在以DRAM速度運行的大量持久性內存中,這種能力才可能實現。
 

圖1.STT-MRAM取代了高級SSD架構中的DDR
 
較小的SSD,通常使用平面FTL表,每兆字節的閃存存儲需要大約1GB的ST-DDR。更大的SSD的趨勢是使用多層分層表來減小DDR中保存的表大小。但是,仍然必須定期將這些表與其他控制器元數據一起寫入緩存,這會使控制器的設計復雜化。這些分層解決方案的確提供了上電后恢復時間更快的附加優點,因為控制器不必等到從閃存加載整個平面表后就可以了。
 
要實現包括重復數據刪除和壓縮在內的高級功能,需要維護必要的表并將其存儲在ST-DDR中。這些表還需要通過斷電來維護,因此必須刷新到閃存,這會增加控制器設計的復雜性。

本文關鍵詞:STT-MRAM

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