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MR25H40CDC非易失性MRAM存儲芯片

2019-09-23 10:21:20

MR25H40CDC非易失性MRAM存儲芯片
MR25H40CDC是由EVERSPIN科技公司推出的一款非易失性MRAM存儲芯片,這款串行MRAM是可以兼容兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序,擁有非常出色的耐讀/寫能力,沒有讀/寫操作沒有寫入延遲的問題。
 
MR25H40CDC工作電壓為3.3V,容量為4Mbit與富士通的MB85RQ4ML的容量一致,數據位寬8位,工作溫度范圍:-40℃ to +85℃,一款應用于工業級產品的非易失性存儲器。
 
MR25H40CDC采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝封裝,并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。對于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用,MR25H40CDC可以說是理想的存儲器解決方案。
 
MR25H40CDC已廣泛用在數據存儲、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸領域。
 
Everspin科技是開發和制造獨立式與嵌入式磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)傳感器的全球領導業者。在運算、存儲、工業和辦公自動化市場,已有越來越多的領導廠商采用Everspin MRAM技術開發最先進的產品。英尚微電子代理的Everspin的MRAM技術具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發性、和無限次擦除等特性,現在Everspin的產品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O產品,以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產品。

本文關鍵詞: Everspin MR25H40CDC

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