Everspin MRAM芯片
一款非易失性的磁性存儲器,
MR0D08B和MR0A16A為1,048,576位磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。Everspin MRAM支持雙電源、串行SPI等各種規范，并有131,072字 x 8位或65,536字 x 16位兩種構成方式。此系列MRAM擁有35ns或45ns的讀/寫周期（無寫入延遲），以及出色的耐讀/寫能力。
商業，工業和擴展的工作溫度。
提供AEC-Q100 1級合格選項。
35ns讀/寫速度，無限耐力。
數據不揮發，保留20年。
斷電時保留數據。
符合RoHS標準的封裝
系列型號如下：
| Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Commercial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMA35 | 48-BGA | 3.3V | Commercial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMA35R | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Industrial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACMA35 | 48-BGA | 3.3V | Industrial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16ACMA35R | 48-BGA | 3.3v | Industrial |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Extended |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Extended |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVMA35 | 48-BGA | 3.3V | Extended |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AVMA35R | 48-BGA | 3.3v | Extended |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BMA35 | 48-BGA | 3.3V | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BMA35R | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0D08BMA45 | 48-BGA | 3.3VDD, 1.8IO | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0D08BMA45R | 48-BGA | 3.3v | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0DL08BMA45 | 48-BGA | 2.7VDD min, 1.8IO | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0DL08BMA45R | 48-BGA | 2.7-3.6v | Commercial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCYS35 | 44-TSOP | 3.3V | Industrial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | Industrial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | Industrial |
| 1Mb | 128Kx8 | MR0A08BCMA35R | 48-BGA | 3.3v | Industrial |
本文關鍵詞：Everspin
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