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Everspin最新基于基于MRAM技術的nvNITRO

2018-08-08 14:36:53

目前在非易失性存儲芯片占主流的是NAND內存,這一年來不斷漲價缺貨確實也挺讓人揪心的,但是也別無選擇,在新一代非易失性存儲芯片技術中,MRAM一直被視為替換NAND內存的潛力者,MRAM是同時具有SRAM的快速及非易失性的特點,目前MRAM產品是由Everspin科技公司在生產,日前Everspin發布了一款基于基于MRAM技術的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤,但是4K隨機性能高達150萬IOPS,延遲只有6微秒,遠遠高于目前的企業級SSD硬盤。
之前Everspin生產的MRAM產品技術大都是基于ST(Spin-transfer torque,自旋鈕轉換)技術,Everspin公司的nvNITRO硬盤也不例外,它基于該公司的256Mb DDR3 STT-MRAM芯片打造,目前實現的容量是1GB和2GB,分別使用32顆、64顆ST-MRAM芯片,接口則是PCI-E 3.0 8x,HHHL半高半長規格,支持NVMe標準。
Everspin推出的第一款STT-MRAM產品采用ST-DDR3,這是一種類似JEDEC的DDR3接口,并需要進行一些修改以充分利用MRAM技術的持久性。這些產品的性能如同持久性DRAM,但無需刷新。其他產品計劃將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用。4K QD=32隨機性能高達150萬IOPS,延遲則只有6微秒,這個指標放在高端企業級SSD中也是非常強悍的,Aanandtech網站給出的兩個例子就是Intel最強企業級硬盤DC P3700延遲有20微秒,HGST企業級SSD Ultrastar SN260硬盤隨機性能也不過120萬IOPS。
根據Everspin公司所說,他們預計Q2季度正式推出nvNITRO硬盤,會有U.2、M.2等其他規格的產品,容量也會涵蓋512MB到8GB范圍。
除此之外,今年晚些時候他們還會推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片,硬盤容量可以達到4-16GB了。

本文關鍵詞:Everspin   STT-MRAM

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