并行MRAM的特性介紹
2018-06-14 14:20:20
MRAM利用電子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存儲器。 MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，以便將RAM的速度與Flash的非易失性相提并論。總部位于亞利桑那州錢德勒的Everspin擁有并運營著一條生產線，用于其磁性后端晶圓加工，采用鑄造廠生產的標準CMOS晶圓。Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM），
Everspin目前的MRAM產品基于180納米和130納米工藝， nm工藝技術節點和行業標準封裝。
并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM讀寫周期時間。8位MRAM系列容量為256Kb到16Mb，16位MRAM系列容量為1Mb到16Mb，提供符合RoHS規范的TSOP和BGA兩種封裝。與所有Everspin非易失性RAM一樣，所有器件可無限次讀寫。
并行MRAM特性
. 讀取/寫入周期時間：35ns
. 真正無限次擦除使用
. 業內最長的壽命和數據保存時間----超過20年的非揮發特性
. 可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
. 采用MRAM取代電池供電的SRAM方案，解決了電池組裝、可靠性以及責任方面的問題
. 掉電數據自動保護
. 具備商業級、工業級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍
. 符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封裝
. 符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封裝（板面積縮小了3倍）
. 16位并行總線接口MRAM
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
更多資訊關注SRAMSUN. m.v12106.cn 0755-66658299
