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Everspin 推出4MB 并口MRAM芯片MR2A08AYS35

2018-05-30 14:26:41


磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產品的領導廠商Everspin科技公MRAM產品中其中4MB 并口MRAM芯片,用于無電數據保持以及SRAM性能的應用,具有非揮發性、高性能以及高可靠性優勢。Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合,以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖,我們將不斷提高MRAM產品的容量,并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。
 
MR2A08AYS35是一款3.3V、并行I/O非揮發RAM,其超短的存取周期僅為35ns,并允許無限制的讀/寫循環。在每次寫入后,資料能持續保存超過20年。此外,與其他存儲器不同,MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率SER(SoftError Rate)。MR2A08AYS35采用8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝(球中心距為0.75mm)。可以與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,無需組裝電池,也了提高可靠性。
 
MR2A08AYS35典型的應用包括計算機存儲系統及服務器、工業自動化和機器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統。
 
本文關鍵詞:Everspin
 
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