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串行PSRAM比SRAM在應(yīng)用上的優(yōu)勢(shì)

2018-01-18 10:19:50

存儲(chǔ)器粗略的可以分為

1. 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,如NAND、NOR Flash,數(shù)據(jù)在掉電后不會(huì)丟失。這類(lèi)存儲(chǔ)器通常速度比較慢,可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

2. 揮發(fā)性存儲(chǔ)器,如DRAM、SRAM。它們通常速度較快,但數(shù)據(jù)在掉電后會(huì)丟失,通常被用作程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)緩存(buffer)。

3. 新一代的存儲(chǔ)器:如ReRAM, MRAM, FRAM等,他們的特點(diǎn)是結(jié)合了上述兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn):運(yùn)行速度快,掉電不丟失。目前,他們的一些局限在于容量還不能做得很大,所以還無(wú)法實(shí)現(xiàn)DRAM或NAND能實(shí)現(xiàn)的容量密度;或者再單位bit的成本,還無(wú)法與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)。

4. PSRAM:pseudo SRAM,偽SRAM。它具有類(lèi)SRAM的接口協(xié)議:給出地址、讀、寫(xiě)命令,就可以實(shí)現(xiàn)存取,不像DRAM需要memory controller來(lái)控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新,因此結(jié)口簡(jiǎn)單;但它的內(nèi)核是DRAM架構(gòu):1T1C一個(gè)晶體管一個(gè)電容構(gòu)成存儲(chǔ)cell,而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell。由此結(jié)合,他可以實(shí)現(xiàn)類(lèi)SRAM的接口有可實(shí)現(xiàn)較大的存儲(chǔ)容量。

新的串行pSRAM能有效改善傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體的問(wèn)題,并具有以下優(yōu)點(diǎn):

1. 更大的帶寬:串行PSRAM以八路串行接口之規(guī)格,在200MHz Double-data-rate的速率,其數(shù)據(jù)帶寬大于3Gbps。

2. 更高的容量:串行PSRAM容量為64M,比其他現(xiàn)行市面上的串行接口隨機(jī)存取記憶體的記憶容量大很多。

3. 更低的成本:串行PSRAM採(cǎi)用先進(jìn)的DRAM技術(shù),有效地壓縮芯片體積,故串行PSRAM生產(chǎn)成本接近DRAM成本。

4. 更小的尺寸:串行PSRAM的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)相較之下,更具尺寸小、成本低等優(yōu)勢(shì)。

5. 應(yīng)用介面簡(jiǎn)單:因?yàn)樾滦偷脑O(shè)計(jì)技術(shù),串行PSRAM不需要更新週期(Refresh Cycle),與DRAM需要更新不同,故串行PSRAM介面較傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)更為簡(jiǎn)單。

串行PSRAM型號(hào)參考:

Density Part Number Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package
64Mbit RS6404LSQL 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
64Mbit IPS6404LSQ 3 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
64Mbit RS6404LSQ 3 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
64Mbit IPS6404LSQL 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQI T 1.8 20 SPI,QPI -40℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit IPS3204JSQ 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQT 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQCT 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQI 1.8 20 SPI,QPI -40℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQ 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC
32Mbit RS3204JSQC 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC

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