PSRAM是一種用DRAM技術，實現(xiàn)SRAM性能。PSRAM結合了SRAM和DRAM優(yōu)點的存儲芯片，即容量大,又接口驅(qū)動簡單。在PSRAM的基礎上，英尚微提供了更為豐富的接口選擇，例如被應用于絕大多數(shù)MCU/FPGA上的低管腳閃存SPI接口，以及SoC所需要的更易于使用且容量更大的SiP方案。
 
    PSRAM的優(yōu)點是將SRAM相對簡潔的接口與DRAM位元技術結合起來，這既簡化了產(chǎn)品的設計，也使得成本相較于SRAM得到了大幅的降低（最高可下降10倍），同時顆粒密度可達到SRAM的5-10倍。更具有更低的延時，這讓設備可以從超低功耗模式中被快速喚醒。也使得電流消耗被降到極低的程度，可以做到0.15到0.5uA/Mb，具體電流消耗視容量大小不同而定，總容量越高，每Mb消耗的電量就越少。
 
    由于解決了類似于IoT與嵌入式應用中的設計瓶頸，PSRAM于功能手機市場找到了可被應用的細分市場。基于PSRAM技術，并運用低引腳數(shù)SPI或SiP接口方案，PSRAM是基于MCU、SoC、FPGA等需要兼顧性能、成本與即時反饋的功耗受限型方案的理想選擇。運用低引腳數(shù)SPI接口進一步為以MCU、SOC、FPGA為基礎的設備提升了系統(tǒng)效能。解決方案與大多數(shù)MCU、SoC、FPGA上的SPI接口兼容，包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。為嵌入式、物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)提供了更多的系統(tǒng)內(nèi)存。

本文關鍵詞：?PSRAM,SRAM

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