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數據記錄應用STT-MRAM芯片S3R1016

2023-06-07 14:15:37

    Netsol的Parallel STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數據和程序的應用程序來說,這是最理想的內存??商娲鶱OR Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
 
    Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量為1Mbit的自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。數據始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于簡化系統設計。是一個具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數據字節控制(LB、UB)訪問低位和高位字節。支持異步頁面模式功能,以提高讀寫性能。x16 I/O模式和x8I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字。
 
    在數據記錄應用中,數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程??梢杂涗浵到y內外部發生的事件;使用歷史;環境參數 ;機器狀態;用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫入速度與高耐久性。

本文關鍵詞:STT-MRAM,S3R1016

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