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用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄ADAS的FRAM

2023-05-24 09:30:20

  隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來,智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。MB85RS2MLY可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用的FRAM存儲(chǔ)芯片。
 
  MB85RS2MLY在-40℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)保證10萬億次讀/寫循環(huán)次數(shù)。此特性對(duì)于某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用程序是最佳的。例如,如果連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù),則寫入次數(shù)超過30億次??煽啃詼y(cè)試符合AEC-Q1001級(jí),從數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性的角度來看,MB85RS2MLY保證可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用。采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8引腳SOP封裝,可以輕松替換具有類似封裝的現(xiàn)有EEPROM。此外,還提供尺寸為5.0x6.0x0.9mm的8引腳DFN(雙扁平無引線)封裝。
 
  FeRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,與EEPROM和閃存相比,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM已被對(duì)傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的規(guī)格不滿意的客戶所采用。


本文關(guān)鍵詞:FRAM

上一篇文章:1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A


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