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MCU外設(shè)芯片MRAM持久儲存數(shù)據(jù)比閃存更長

2022-12-05 09:32:27

MCU微控制器作為一個(gè)需要集成的CPU,SRAM,最常見的存儲方式主要包括非易失性存儲器及其專用外設(shè)芯片eDRAM,SRAM易失性存儲器,閃存,EEPROM非易失性存儲器,其中集成閃存是MCU主要特點(diǎn)。隨著時(shí)間的推移,閃存逐漸開始成為一種約束MCU提高性能、降低功耗的瓶頸之一。
 
MRAM數(shù)據(jù)存儲時(shí)間比閃存更長,MRAM與其他新興的非揮發(fā)性技術(shù)相比,編程人員可以靈活地應(yīng)用內(nèi)存。工程師不再需要將程序代碼限制在內(nèi)NOR大小或限定數(shù)據(jù)只能在SRAM的大小,不僅優(yōu)化了設(shè)計(jì),而且通過讓同樣的基于MRAM的MCU在多種應(yīng)用中,可以為一些客戶降低成本。
 
MRAM技術(shù)是STT-MRAM,做為MRAM一種變體,其周圍電子的自旋會影響MTJ極性。以其他方式的MRAM相比,STT-MRAM具有低功耗和進(jìn)一步擴(kuò)展的能力,雖然STT-MRAM具有與DRAM和SRAM相當(dāng)特性,例如電源關(guān)閉,信息也不會丟失,和DRAM一樣可隨機(jī)存取;可擦寫頻率超過1015次,和DRAM及SRAM相當(dāng),大大超過了105次閃存等,但它似乎也可以在10nm完成以下過程,5nm引入技術(shù)節(jié)點(diǎn)STT-MRAM作為最后一級(L3)緩存存儲器的可行性,所以很多人認(rèn)為,STT-MRAM會改變“存儲器(硬盤和NAND閃存)是非易失性、更高層次的內(nèi)存(DRAM及SRAM)為易失性”傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)架構(gòu),是領(lǐng)先的存儲技術(shù)之一。


本文關(guān)鍵詞:SRAM,MRAM,DRAM

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