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三星研發出運算存儲MRAM

2022-11-01 09:53:35

三星半導體通過結構創新,實現了基于MRAM的存儲內運算,進一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術。
 
傳統的運算體系中,存儲中的數據要轉移到處理芯片的數據運算單元進行處理,因此其對于頻寬、延遲的要求非常高。
 
至于存儲內運算則是一種新的運算模式,也可以當作存儲與運算一體化的表現,也就是說,在存儲中同時執行數據儲存、數據運算處理,無需移動數據。同時在存儲網路中的數據處理是以高度平行的方式執行,因此提高性能的同時,還能大大降低功耗。
 
如果與其他存儲比較,MRAM在運行速度、壽命、量產方面都有明顯優勢,功耗也遠低于傳統DRAM,關鍵是還具有非揮發的特點,斷電也不會丟失數據。
 
可是MRAM也有其缺點,因為很難用于存儲內運算,使得在標準的存儲內運算架構中無法發揮低功耗優勢。為了克服這一點,三星研究團隊設計了一種名為“電阻總和”的新型存儲內運算架構,取代“電流總和”架構,進而成功開發了一種能演示存儲內運算架構的MRAM陣列芯片,命名為“用于存儲內運算的磁阻式存儲交叉陣列”。
 
目前來看,這一交叉陣列成功解決了單個MRAM小電阻問題,從而降低功耗,實現了基于MRAM的存儲內運算。按照三星研究,在執行AI運算時,采用MRAM存儲內運算可以實現98%的筆跡辨識成功率、以及93%的人臉辨識準確率。
 
全球MRAM市場2021年至2026年的年復合成長率將達25%,并于2026年達到62億美元的規模。該市場的主要驅動力是對穿戴式裝置的需求增加、物聯網設備的高度采用、運算技術的進步、對更高存儲空間的需求以及縮短啟動時間等因素。除了三星之外,Avalanche、CROCUS、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM制造商。

Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器(MRAM)的公共半導體公司,其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)。Everspin Technologies提供Toggle MRAM,自旋轉矩MRAM,嵌入式MRAM,磁性傳感器以及航空和衛星電子系統,公司產品應用于工業,汽車,運輸和企業存儲市場。
 
 
本文關鍵詞: MRAM,Everspin

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