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SIC MOSFET相較于Si MOS

2022-10-08 14:53:06

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直接測(cè)量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形,為了得到正確的結(jié)論,獲得精準(zhǔn)的開關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。
 
SIC MOSFET相較于Si MOS和IGBT能夠顯著提高變換器的效率和功率密度,同時(shí)還能夠降低系統(tǒng)成本,受到廣大電源工程師的青睞,越來(lái)越多的功率變換器采用基于SiC MOSFET的方案。
 
SiC MOSFET與Si開關(guān)器件的一個(gè)重要區(qū)別是它們的柵極耐壓能力不同,Si開關(guān)器件柵極耐壓能力一般都能夠達(dá)到±30V,而SiC MOSFET柵極正壓耐壓能力一般在+20V至+25V,負(fù)壓耐壓能力一般僅有-3V至-10V。
 
同時(shí),SiC MOSFET開關(guān)速度快,開關(guān)過(guò)程中柵極電壓更容易發(fā)生震蕩,如果震蕩超過(guò)其柵極耐壓能力,則有可能導(dǎo)致器件柵極可靠性退化或直接損壞。
 
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久,往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)量上遇到問題,即測(cè)得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰,導(dǎo)致搞不清楚是器件的問題還是電路設(shè)計(jì)的問題,進(jìn)而耽誤開發(fā)進(jìn)度。


本文關(guān)鍵詞:SIC MOSFET


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