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非易失存儲芯片MRAM性能比較

2022-09-09 09:28:30

MRAM可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。具有SRAM高速讀取寫入能力和DRAM高集成度,基本可以無限次重復寫入。
 
如果把MRAM,DRAM,SRAM及FLASH等內存做比較,就只有MRAM及FLASH具有非揮發性的特色功能;但在隨機存取功能上,則FLASH缺乏這種作用,只有MRAM,DRAM,SRAM具有隨機存取的優點。
 
MRAM,DRAM及SRAM在寫入次數上,都可以寫入無限記憶,FLASH則只能寫入106次。關于芯片面積,MRAM與FLASH同樣是小規格的芯片,占用的空間最小;DRAM芯片面積屬于中等規格,SRAM屬于大面積規格的芯片,占用空間較大。
 
MRAM及SRAM在讀取速度上速度最快,均為25~100ns,但MRAM仍比SRAM快;DRAM則為50~100ns,屬于中速;FLASH是最慢的速度。
 
在耗電電量方面,只有MRAM及其SRAM具有低耗電的優點,FLASH屬于中級耗電要求,對于中級耗電要求,DRAM也有高功耗的缺陷。
 
DRAM,SRAM,FLASH在嵌入式設計是良率低,必須提高芯片面積設計規格;MRAM不需要改進芯片面積的特殊設計。


本文關鍵詞: MRAM,SRAM

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