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NV-SRAM在數據記錄應用中優于現有存儲器

2022-06-01 14:51:05

NV-SRAM(非易失性SRAM或NVRAM)是一種獨立的非易失性存儲器,業界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數據的副本并將其保存到非易失性存儲器中,并允許在不消耗電力的情況下調用數據。非常適合需要快速寫入速度、高耐用性和即時非易失性的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)、智能儀表和網絡路由器等數據記錄應用。

NV-SRAM的主要特征
快速訪問-以20ns的速度執行隨機訪問讀寫
無限耐力-提供無限的寫入和讀取
節省空間-與BBSRAM相比占用更小的電路板空間
耐輻射-不受輻射引起的軟錯誤的影響
 
NV-SRAM產品與EEPROM和BBSRAM(電池支持SRAM或BatRAM)解決方案相比,其消耗的有效電流更少。與電池支持的解決方案不同,NV-SRAM存儲器不需要外部電池來保持電量。因此NV-SRAM適用于智能電表等數據記錄應用。無限耐用性和即時非易失性確保NV-SRAM在多個數據記錄應用中優于現有存儲器(如EEPROM和BBSRAM)。

特征 非靜態SRAM BBSRAM EEPROM
密度 中等偏上 中等偏上 低 中
耐力 無窮 有限
保留 高的 中等
附加電池 NO YES NO
寫時間 快速 中等 減緩


本文關鍵詞:NV-SRAM,SRAM


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