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MRAM獨特功能可以替換現有內存

2022-02-10 09:25:56

在所有不斷涌現的存儲器中,非易失性存儲器MRAM似乎最有可能被廣泛采用。而這種情況是否會很快發生,既取決于制造工藝的進步,也取決于支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統的改善。
 
目前MRAM是在單獨的晶圓廠作為“后端生產線”(BEOL)工藝來生產的,需要一些傳統CMOS制造工藝沒有使用的新設備,諸如離子束蝕刻和新的濺射靶之類。要想降低嵌入式MRAM產品的成本,其制造就需要進入CMOS晶圓廠,成為常規器件生產的一部分。
 
除了將MRAM進一步納入制造鏈外,它和其它半導體制造工藝一樣,質量控制和產量提高將是持續的挑戰和機遇,而所有大型半導體代工廠都將MRAM內存作為嵌入式產品的一個選項,這一點非常重要。通過將MRAM集成到其嵌入式產品中,并將MRAM作為常規器件引入大批量生產流程,產量和質量問題將會得到解決,專門用于生產MRAM的獨有工具也將變得更加常見,并更多地嵌入到代工生產中。這樣就能降低成本,并增加可用性。
 
MRAM獨特功能可以替換現有內存,比如SRAM,或者共同創建新的用例。正在設法使MRAM盡可能地和SRAM相像,二者的價值定位相同,但是在相同的占位面積內,MRAM能提供三到四倍多的內存,而且不會有SRAM帶來的任何泄漏情況出現。然而,不斷改進材料非常重要,采用一種適用于任何磁隧道結的電路級方法,這種方法能讓其在耐久性方面得到重大改進,從而提高性能。
 
Everspin公司生產的MRAM有兩種類型——切換MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器啟用或FPGA,該公司也一直在通過其伙伴關系發展其生態系統。Everspin代理英尚國際有限公司可提供MRAM樣品測試及應用解決方案等產品服務。

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