Flash Memory是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統中通常用于存放系統、應用和數據等。在PC系統中，則主要用在固態硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SDCard等移動存儲設備也都是使用FlashMemory作為存儲介質。
 
根據硬件上存儲原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示：
NAND FLASH讀取速度與NOR Flash相近，根據接口的不同有所差異；
NAND FLASH的寫入速度比NOR Flash快很多；
NAND FLASH的擦除速度比NOR Flash快很多；
NAND FLASH最大擦次數比NOR Flash多；
NOR Flash支持片上執行，可以在上面直接運行代碼；
NOR Flash軟件驅動比NAND FLASH簡單；
NOR Flash可以隨機按字節讀取數據，NAND FLASH需要按塊進行讀取。
大容量下NAND FLASH比NOR Flash成本要低很多，體積也更?。?br /> （注：NOR Flash和NAND FLASH的擦除都是按塊塊進行的，執行一個擦除或者寫入操作時，NOR Flash大約需要5s，而NAND FLASH通常不超過4ms。）
 
1、NOR Flash
NOR Flash根據與CPU端接口的不同，可以分為Parallel NOR Flash和SPI NOR FLASH兩類。
 
Parallel NOR Flash可以接入到Host的SRAM/DRAMController上，所存儲的內容可以直接映射到CPU地址空間，不需要拷貝到RAM中即可被CPU訪問，因而支持片上執行。SPI NOR FLASH的成本比Parallel NOR Flash低，主要通過SPI接口與Host連接。
   
鑒于NOR Flash擦寫速度慢，成本高等特性，NOR Flash主要應用于小容量、內容更新少的場景，例如PC主板BIOS、路由器系統存儲等。
 
2、NAND FLASH
 
NAND FLASH需要通過專門的NFI（NAND FLASH Interface）與Host端進行通信，如下圖所示：
   
NAND FLASH根據每個存儲單元內存儲比特個數的不同，可以分為SLC（Single-LevelCell）、MLC（Multi-LevelCell）和TLC（Triple-LevelCell）三類。其中，在一個存儲單元中，SLC可以存儲1個比特，MLC可以存儲2個比特，TLC則可以存儲3個比特。
 
NAND FLASH的一個存儲單元內部，是通過不同的電壓等級，來表示其所存儲的信息的。在SLC中，存儲單元的電壓被分為兩個等級，分別表示0和1兩個狀態，即1個比特。在MLC中，存儲單元的電壓則被分為4個等級，分別表示00011011四個狀態，即2個比特位。同理，在TLC中，存儲單元的電壓被分為8個等級，存儲3個比特信息。
   
NAND FLASH的單個存儲單元存儲的比特位越多，讀寫性能會越差，壽命也越短，但是成本會更低。Table1中，給出了特定工藝和技術水平下的成本和壽命數據。
 
相比于NOR Flash，NAND FLASH寫入性能好，大容量下成本低。目前，絕大部分手機和平板等移動設備中所使用的eMMC內部的Flash Memory都屬于NAND FLASH。PC中的固態硬盤中也是使用NAND FLASH。

本文關鍵詞：SPI NOR FLASH,NAND FLASH

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