SRAM是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，就是高速緩存或者說(shuō)是二級(jí)緩存。SRAM靠寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息.
 
SRAM的速度非常快，能以20ns或更快的速度工作。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。快速SRAM是諸如交換機(jī)和路由器，IP電話(huà)，測(cè)試設(shè)備和汽車(chē)電子產(chǎn)品之類(lèi)的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。
 
我司介紹一款國(guó)產(chǎn)偉凌創(chuàng)芯的SRAM芯片，EMI502NF08VM-08I是2Mbit的高速靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，位寬256Kbx8bit。該器件采用先進(jìn)的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術(shù)制造，專(zhuān)為高速電路技術(shù)而設(shè)計(jì)。它是特別適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。EMI502NF08VM-08I使用8條公共輸入和輸出線(xiàn)，并具有一個(gè)輸出使能引腳，其運(yùn)行速度快于讀取周期的地址訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間。而EMI502NF08VM-08I允許通過(guò)數(shù)據(jù)字節(jié)控制(UB,LB)訪(fǎng)問(wèn)上下字節(jié)。
 
偉凌創(chuàng)芯EMI502NF08VM-08I快速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間8ns，電壓為3.3V，具備TTL兼容輸入和輸出，完全靜態(tài)操作，無(wú)需時(shí)鐘或刷新，三態(tài)輸出。采用標(biāo)準(zhǔn)的44TSOP2封裝引腳，可在商業(yè)和工業(yè)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。英尚微電子可提供樣品測(cè)試及必要的FAE技術(shù)支持。


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