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8Mbit國產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT可替換IS61WV51216EEBLL-10B2I

2021-07-13 11:25:11

ISSI IS61WV51216EEBLL是高速和低功耗、8M位SRAM。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造,并實現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。
 
這種高度可靠的工藝與包括ECC(SEC-DED:單糾錯-雙糾錯)在內(nèi)的創(chuàng)新電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合,可產(chǎn)生高性能和高度可靠的設(shè)備。通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供輕松的內(nèi)存擴展。有效的低寫入使能(WE#)控制存儲器的寫入和讀取。采用標準44引腳TSOP(TYPEII)封裝。EMI國產(chǎn)SRAM廠家EMI508NL08VM-55IT可替換IS61WV51216EEBLL-10B2I。
 
8Mbit國產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先進的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬1MX8bit,電源電壓為2.7V~3.6V,支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝,以實現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計的用戶靈活性。該系列還支持低數(shù)據(jù)保留電壓1.5V(Min.),用于以低數(shù)據(jù)保留電流進行電池備份操作。采用標準44TSOP2封裝形式。
 
特征
●工藝技術(shù):90nmFullCMOS
●組織:1MX8bit
●電源電壓:2.7V~3.6V
●低數(shù)據(jù)保持電壓:1.5V(Min.)
●三態(tài)輸出,TTL兼容
●數(shù)據(jù)字節(jié)控制(x8模式)。
●標準44TSOP2,48FBGA封裝。
●工業(yè)工作溫度。
 
本文關(guān)鍵詞:EMI508NL08VM-55IT


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